韩国半导体巨头SK海力士正式推出iHBM架构，在动态随机存取存储器（DRAM）堆叠中嵌入了集成冷却元件（Integrated Cooling Elements，简称ICEs）。这项技术创新为高带宽内存（HBM）封装提供了一条额外的热量传导通路，试图从物理结构上解决制约下一代AI芯片性能的散热难题。公司已具备该方案的量产能力，计划部署于即将推出的HBM5等下一代产品中。

HBM是一种将多层DRAM裸片垂直堆叠的3D内存芯片，因其缩短了互连长度，在数据速率、延迟和功耗上均具优势，被AI服务器广泛采用。然而，为了满足激增的AI数据处理需求，HBM正向更高层数和更快速度演进，这两个因素同时推高了封装内部的热负荷。更关键的是，HBM与图形处理器之间连接界面——即裸片到裸片物理层（D2D PHY）——是热功率密度最高的区域，也是决定下一代HBM芯片竞争力的核心瓶颈。

SK海力士以结构性方案回应了这一挑战。现有HBM产品依赖从核心裸片向外间接传导热量的路径，iHBM解决方案则直接在D2D PHY区域上方放置集成冷却元件，创建了一条额外的散热通路。公司数据显示，这种热管理方案可将热阻降低30%，使芯片即使在高温高压条件下也能稳定运行。冷却元件由不导电但导热的硅基材料制成。

在量产准备上，SK海力士表示已具备高良率批量生产能力，预计将在其清州M15X工厂制造搭载iHBM的芯片。该方案采用公司基于批量回流模制底部填充技术（MR-MUF）的晶圆级封装工艺——该工艺通过在芯片间注入液态保护材料来保护电路并实现半导体堆叠。值得留意的是，iHBM方案与现有系统级封装架构具有高度设计兼容性，使下游客户只需做少量设计调整即可采纳这一新型散热技术。

SK海力士目前在全球HBM市场占据主导地位，并在同步推进下一代高带宽存储技术研发，包括高带宽闪存和存内处理两大方向。高带宽闪存定位于HBM与固态硬盘之间的新兴存储层级，兼具HBM级带宽特性与NAND闪存的高密度容量，旨在提升AI基础设施的可扩展性和能效。存内处理则将处理逻辑直接集成到内存裸片中，打破传统冯·诺依曼架构中内存与处理器之间的瓶颈。

SK海力士高级副总裁兼封装开发负责人李康旭表示：“iHBM是热管理的最优解决方案，融合了我们的内存设计能力与先进封装技术。”